近期5座12寸晶圓廠競相上馬，引發(fā)投資者對存儲器產(chǎn)業(yè)的高度關(guān)注。業(yè)內(nèi)資深人士表示，首先這對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)絕對是好事情，在新的需求和技術(shù)下，“大干快上”的投資將極大地促進(jìn)中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展；但鑒于存儲器重投資、盈利周期長等特點，國家對該產(chǎn)業(yè)的頂層設(shè)計規(guī)劃就顯得尤為重要，“政績工程”匆忙上馬不僅造成投資浪費，還可能貽誤產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇。

扎堆上馬項目

3月的最后一周似乎可以寫入中國存儲器產(chǎn)業(yè)歷史，4座12寸晶圓廠投資計劃接踵出爐：江蘇淮安的德科瑪12寸CMOS影像傳感器項目、武漢新芯二期12寸存儲器項目、臺積電與南京市政府正式簽約12寸廠、美國萬代半導(dǎo)體（AOS）12寸MOSFET功率半導(dǎo)體項目；此外，紫光集團(tuán)預(yù)計將在深圳建12寸晶圓廠。

存儲器“大干快上”是好是壞？有業(yè)內(nèi)資深人士表示，5大項目同時上馬看似“大躍進(jìn)”，但對中國存儲產(chǎn)業(yè)來說絕對是好事情?！坝型顿Y、有人做、才有可能成就產(chǎn)業(yè)，而存儲新技術(shù)的發(fā)展給了中國追趕的機(jī)會，這5家公司不可能都成功，但一定會有1-2家比較靠譜。”該人士如此說，隨著技術(shù)的發(fā)展，各種新型存儲技術(shù)進(jìn)入“百花齊放”階段，中國在3D-NAND等新領(lǐng)域有可能迎頭趕上。

此外，有投資人士表示，中國在存儲產(chǎn)業(yè)的重金投資或?qū)⒏淖兇鎯Ξa(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，屆時，基礎(chǔ)存儲芯片價格將大幅下降，刺激各種方案誕生，從而引發(fā)連鎖反應(yīng)，活絡(luò)經(jīng)濟(jì)；配合5G應(yīng)用，將極大地成就物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)。

亟須頂層規(guī)劃

五大項目聯(lián)袂上馬也引發(fā)了業(yè)界對于存儲器產(chǎn)業(yè)是否會重蹈光伏產(chǎn)業(yè)覆轍的大討論。對此，上述業(yè)內(nèi)人士表示，產(chǎn)能過剩只是表面現(xiàn)象，事實上按照目前國內(nèi)半導(dǎo)體對存儲芯片的需求以及增長率，即便全部產(chǎn)能釋放也還是嚴(yán)重供需不平衡。

全球半導(dǎo)體市場在中國，但晶圓產(chǎn)能嚴(yán)重倒掛。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年全球晶圓月產(chǎn)能約1635萬片，中國月產(chǎn)能僅159萬片，占比僅9.7%；而其中28nm以下的先進(jìn)工藝產(chǎn)能僅中芯國際有出貨，占比更是少之又少；即便5條線滿產(chǎn)也不過月增加100多萬片的產(chǎn)能，遠(yuǎn)低于市場需求。

但是，產(chǎn)能不會過剩并不意味著就可以毫無顧忌地大干快上，半導(dǎo)體尤其是存儲器投資的頂層規(guī)劃不可缺失。上述人士表示。集成電路尤其是存儲器是顯著的重投資、盈利周期長的產(chǎn)業(yè)，更需要頂層規(guī)劃，在充分論證后再上馬項目。芯謀研究半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總監(jiān)王笑龍在談及武漢新芯二期項目時表示投資存儲要做好至少5年內(nèi)不盈利的心理準(zhǔn)備。

“政企合作”模式固然不失為好路子，但也要防止為“政績”而匆忙上馬項目，否則不僅造成投資浪費，還可能貽誤產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇?！斑@5座12寸晶圓廠，是否有作為政績硬上馬的？”有業(yè)內(nèi)人士表達(dá)了這樣的質(zhì)疑；事實上，這也正是業(yè)內(nèi)擔(dān)心存儲器成為下一個光伏的原因。畢竟，在上一輪半導(dǎo)體大扶持中，重慶與臺灣茂德于2007年聯(lián)手打造的8寸廠渝德科技長期深陷泥淖，3年累計虧損高達(dá)38億臺幣，重慶市政府幾經(jīng)斡旋，才于2011年以1億元的價格出售給中航工業(yè)旗下的中航航空電子系統(tǒng)有限責(zé)任公司。